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2020/06/01
咨詢(xún)需求
發(fā)布需求基本信息
- 需求標(biāo)題 小型大功率MCT高壓開(kāi)關(guān)
- 需求主體 企業(yè)用戶(hù)
- 行業(yè)領(lǐng)域 工業(yè)與自動(dòng)化控制
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需求介紹
一、技術(shù)需求簡(jiǎn)述
小型大功率MCT高壓開(kāi)關(guān)是一種基于MOS控制的晶閘平面高壓開(kāi)關(guān)管，在電性能方面可以完全替代國(guó)內(nèi)的火花隙冷陰極觸發(fā)管，并且在半導(dǎo)體發(fā)展行業(yè)內(nèi)，可以大批量生產(chǎn)，降低成本，由于其體積和工作原理，可以大幅度提升武器彈藥系統(tǒng)系統(tǒng)中全電子引信系統(tǒng)的抗過(guò)載能力。雖說(shuō)半導(dǎo)體器件發(fā)展較快，但是目前國(guó)內(nèi)還沒(méi)有小型大功率MCT高壓開(kāi)關(guān)，所以急需解決此關(guān)鍵技術(shù)。
二、技術(shù)需求詳述
小型大功率MCT高壓開(kāi)關(guān)是一種新型MOS/雙極復(fù)合器件，它是在普通晶閘管中用集成電路工藝制作大量的MOS開(kāi)關(guān)，通過(guò)MOS開(kāi)關(guān)的通斷來(lái)控制晶閘管的開(kāi)啟和關(guān)斷。小型大功率MCT高壓開(kāi)關(guān)具有耐高壓、耐大電流、驅(qū)動(dòng)功率低、導(dǎo)通壓降小、導(dǎo)通速度快以及具有良好的阻斷和通態(tài)特性。其技術(shù)指標(biāo)如下：
（1）A-K擊穿電壓≥2.0kV；???（2）重復(fù)峰值陽(yáng)極電流≥5.0kA;
（3）陽(yáng)極-陰極關(guān)斷泄露電流：≤1μA（30℃）；
（4）陽(yáng)極-陰極導(dǎo)通壓降：≤2V；（5）導(dǎo)通延遲時(shí)間：≤150ns。
（6）工作溫度：-50℃~125℃；?（7）外形封裝：TO-236。
（8）技術(shù)成熟度6級(jí)，單個(gè)器件價(jià)格不大于500RMB。
交易信息
- 項(xiàng)目總投資 面議
- 交易方式 其他
- 截止日期 2021/06/01
- 使用區(qū)域 陜西省-西安市-雁塔區(qū)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
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