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低缺陷密度單晶制備過程中拉速控制技術(shù)

3152019/07/23
基本信息
  • 需求標(biāo)題 低缺陷密度單晶制備過程中拉速控制技術(shù)
  • 需求主體 企業(yè)用戶
  • 行業(yè)領(lǐng)域 材料科學(xué)與工程
  • 需求介紹 在實(shí)際(CZ)生產(chǎn)的單晶生長過程中,由于生長工藝,外界環(huán)境及雜質(zhì)等因素的影響,實(shí)際晶格排列結(jié)構(gòu)與理想晶格存在較大差距,即形成所謂的單晶缺陷,將給后續(xù)太陽能電池制造帶來嚴(yán)重影響。目前隨著光伏行業(yè)的深入發(fā)展,下游太陽能電池廠商選擇品質(zhì)更佳的硅片作為其襯底材料,只有擁有高品質(zhì)完美晶格的單晶硅片的企業(yè)才能在競爭中立于不敗之地,拉速是拉晶過程中的重要參數(shù)之一,在整個拉晶過程中拉速是不斷變化的,拉速的變化是造成晶體缺陷的主要原因之一,因此掌握拉速變化幅度和頻率對晶體缺陷的影響程度對提高單晶硅品質(zhì)具有重要的意義。
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交易信息
  • 項(xiàng)目總投資 面議
  • 交易方式 其他
  • 截止日期 2020/07/23
  • 使用區(qū)域 寧夏回族自治區(qū)-中衛(wèi)市-沙坡頭區(qū)
  • 聯(lián)系人姓名 王小剛
  • 聯(lián)系人電話 15802954800
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