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2018/08/06
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 電子元器件
- 項目名稱 一種基于碳基復(fù)合電極的高溫SiC JFET器件
- 知識產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
- 項目簡介 本發(fā)明公開了一種基于碳基復(fù)合電極的高溫SiC JFET器件，包括N+襯底、N?漂移區(qū)、N溝道區(qū)、P+柵區(qū)、N+源區(qū)、由第一碳基材料層與第一金屬層、第二金屬層復(fù)合構(gòu)成的源電極、由第三碳基材料層與第三金屬層、第四金屬層復(fù)合構(gòu)成的漏電極、由第二碳基材料層與第五金屬層、第六金屬層復(fù)合構(gòu)成的柵電極，N?漂移區(qū)的厚度為9.5μm，寬度為7μm，摻雜濃度為6.5×1015cm?3；N溝道區(qū)的深度為2.1μm，寬度為1.6μm，摻雜濃度為6.5×1015cm?3；P+柵區(qū)摻雜濃度為1×1018cm?3；N+襯底摻雜濃度為6×1018cm?3；N+源區(qū)摻雜濃度為2×1018cm?3。本發(fā)明一方面具有良好的熱穩(wěn)定性和導(dǎo)電特性，另一方面可以有效的改善散熱，降低器件結(jié)溫，使器件在高溫下仍然可以穩(wěn)定可靠的工作。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時間 2018/04/17
- 委托機構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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