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基于SiC襯底的太赫茲GaN耿氏二極管及其制作方法

17512018/03/16
基本信息
  • 成果類型 高等院校
  • 委托機(jī)構(gòu) 微電子學(xué)院
  • 成果持有方 微電子學(xué)院
  • 行業(yè)領(lǐng)域 三網(wǎng)融合
  • 項(xiàng)目名稱 基于SiC襯底的太赫茲GaN耿氏二極管及其制作方法
  • 知識(shí)產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
  • 項(xiàng)目簡介 基于SiC襯底的太赫茲GaN耿氏二極管及其制作方法
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交易信息
  • 意向交易額 面議
  • 掛牌時(shí)間 2016/02/08
  • 委托機(jī)構(gòu) 微電子學(xué)院
  • 聯(lián)系人姓名 權(quán)曉陽
  • 聯(lián)系人電話 029-89184706
  • 聯(lián)系人郵箱 547269666@qq.com
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