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2018/09/14
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 微電子
- 項(xiàng)目名稱 分區(qū)復(fù)合柵結(jié)構(gòu)SiC DMISFET器件的制作方法
- 知識產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
- 項(xiàng)目簡介 本發(fā)明公開了一種分區(qū)復(fù)合柵結(jié)構(gòu)SiC DMISFET器件的制作方法，其步驟依次為對N?/N+型SiC外延片表面清洗；刻出P?base區(qū)并高溫Al離子注入；刻出N+摻雜源區(qū)并高溫N離子注入；刻出P型摻雜接觸區(qū)域并P型摻雜高溫Al離子注入；在N?/N+型SiC外延片表面形成碳保護(hù)膜；1600℃高溫離子注入退火；表面碳膜去除；酸清洗；Al2O3/Nitrided?SiO2復(fù)合柵介質(zhì)層的生長；底部漏電極生長；涂剝離膠、光刻膠、刻出源接觸孔，進(jìn)行源金屬淀積，并剝離形成源圖形；對進(jìn)行了源漏電極退火的SiC外延片進(jìn)行柵電極的形成；柵、源互連電極形成，最后得到器件成品。本發(fā)明使用本制作方法，可以有效減小柵泄漏電流，提高柵介質(zhì)層的質(zhì)量。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時間 2019/09/14
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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