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基于GeSn?GeSi材料的異質(zhì)型光電晶體管及其制作方法

3542018/09/14
基本信息
  • 成果類型 高等院校
  • 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
  • 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
  • 行業(yè)領(lǐng)域 其他電子信息
  • 項(xiàng)目名稱 基于GeSn?GeSi材料的異質(zhì)型光電晶體管及其制作方法
  • 知識產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
  • 項(xiàng)目簡介 本發(fā)明公開了一種基于GeSn?GeSi材料的異質(zhì)型光電晶體管及其制作方法,晶體管的集電極和發(fā)射極區(qū)均采用GeSi材料;光吸收區(qū)、基極區(qū)均采用GeSn材料。發(fā)射極區(qū)、基極區(qū)、光吸收區(qū)、集電極區(qū)依次豎直分布,鈍化層包圍在發(fā)射極區(qū)、基極區(qū)、光吸收區(qū)、集電極區(qū)的外圍。本發(fā)明晶體管的制作方法采用低溫固源分子束外延生長工藝生長GeSn材料,標(biāo)準(zhǔn)CMOS制作工藝。本發(fā)明通過使用有高光吸收系數(shù)的GeSn材料在光吸收區(qū),分別和GeSi發(fā)射極區(qū)、集電極區(qū)構(gòu)成異質(zhì)結(jié),實(shí)現(xiàn)晶體管在探測紅外光信號時光靈敏度和光電流的提升,具有高的光吸收效率。
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交易信息
  • 意向交易額 面議
  • 掛牌時間 2019/09/14
  • 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
  • 聯(lián)系人姓名 王小剛
  • 聯(lián)系人電話 15802954800
  • 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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