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2018/09/03
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 電子元器件
- 項(xiàng)目名稱 基于GeSn材料的光電晶體管及其制作方法
- 知識產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
- 項(xiàng)目簡介 本發(fā)明公開了一種基于GeSn材料的光電晶體管及其制作方法，解決現(xiàn)有III?V族中紅外光電探測器件難以硅基集成和IV族硅、鍺探測器探測范圍窄的問題。本發(fā)明晶體管的集電極區(qū)、光吸收區(qū)、基極區(qū)、發(fā)射極區(qū)均采用IV族GeSn合金。襯底、集電極區(qū)、光吸收區(qū)、基極區(qū)、發(fā)射極區(qū)依次豎直分布，保護(hù)層包裹在集電極區(qū)、光吸收區(qū)、基極區(qū)、發(fā)射極區(qū)外圍。本發(fā)明采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制備。本發(fā)明通過采用具有帶隙、高光吸收系數(shù)的GeSn材料，有著比Ge探測器更廣的中紅外探測范圍，具有高的光靈敏度和光電流。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時間 2017/10/24
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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