您當前的位置：成果庫 > 一種具有三凹陷結構的場效應晶體管及其制備方法
372
2018/09/01
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機構 西安電子科技大學
- 成果持有方 西安電子科技大學
- 行業(yè)領域 電子元器件
- 項目名稱 一種具有三凹陷結構的場效應晶體管及其制備方法
- 知識產(chǎn)權 發(fā)明專利
- 項目簡介 本發(fā)明屬于場效應晶體管技術領域，特別是公開了一種具有三凹陷結構的場效應晶體管及其制備方法；旨在提供一種具有寬溝道深凹陷且能夠提高輸出電流和擊穿電壓，改善頻率特性的一種具有三凹陷結構的場效應晶體管及其制備方法；采用的技術方案為：自上而下設置有4H?SiC半絕緣襯底、P型緩沖層、N型溝道層，N型溝道層的兩側分別設置有源極帽層和漏極帽層，所述源極帽層和漏極帽層的表面分別設置有源電極和漏電極，N型溝道層中部且靠近源極帽層的一側設置有階梯狀的柵電極，柵電極和N型溝道層兩側形成左側溝道和右側溝道。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時間 2017/11/07
- 委托機構 西安電子科技大學
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
- 分享至：
