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2018/08/31
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 電子元器件
- 項目名稱 一種制備基于65nm工藝的冗余摻雜抗輻照MOS場效應(yīng)管的方法
- 知識產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
- 項目簡介 本發(fā)明公開了一種基于65nm工藝的冗余摻雜抗輻照MOS場效應(yīng)管，主要解決傳統(tǒng)65nm MOS場效應(yīng)管在總劑量輻照環(huán)境下，閾值電壓漂移、亞閾值擺幅退化和關(guān)態(tài)漏電流退化的問題。其包括P型襯底(1)和位于襯底上的外延層(2)，外延層的上方四周和中部分別設(shè)有隔離槽(3)和柵極(6)，柵極兩側(cè)邊界到隔離槽內(nèi)邊界之間的外延層中設(shè)有源漏有源區(qū)(4)，柵極兩側(cè)邊界下方的外延層中設(shè)有輕摻雜源漏區(qū)(5)，柵極正下方位于兩個輕摻雜源漏區(qū)之間的區(qū)域形成溝道，在與溝道長度方向平行的兩個側(cè)邊隔離槽底部，即該處的外延層界面上插有冗余摻雜區(qū)(7)。本發(fā)明提高了器件抗總劑量輻照能力，可用于大規(guī)模集成電路的制備。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時間 2017/11/21
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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