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2018/08/27
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機構 西安電子科技大學
- 成果持有方 西安電子科技大學
- 行業(yè)領域 微電子
- 項目名稱 提高垂直導電結構SiC MOSFET溝道遷移率的方法
- 知識產權 發(fā)明專利
- 項目簡介 本發(fā)明實施例涉及一種提高垂直導電結構SiC MOSFET溝道遷移率的方法,包括：在N+SiC襯底上經過外延工藝形成MOSFET的N?漂移區(qū)；在N?漂移區(qū)內經過注入工藝形成MOSFET的源區(qū)；對已形成所述源區(qū)的SiC外延片的外延表面在200℃下進行紫外線氧化；RCA清洗，使得在所述外延表面形成Si界面結構；將所述SiC外延片在300℃氧氣氣氛中進行等離子體增強化學氣相淀積PECVD預處理，將所述外延表面的Si界面結構氧化成SiO2界面層；在所述SiO2界面層上進行氧化淀積和退火，形成隔離介質層；制備多晶硅柵極和源、漏金屬電極，從而形成所述垂直導電結構SiC MOSFET。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時間 2017/12/01
- 委托機構 西安電子科技大學
- 聯系人姓名 王小剛
- 聯系人電話 15802954800
- 聯系人郵箱 745490733@qq.com
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