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具有塊狀溝槽和埋層的浮動結(jié)碳化硅SBD器件

4092018/08/27
基本信息
  • 成果類型 高等院校
  • 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
  • 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
  • 行業(yè)領(lǐng)域 微電子
  • 項目名稱 具有塊狀溝槽和埋層的浮動結(jié)碳化硅SBD器件
  • 知識產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
  • 項目簡介 本發(fā)明涉及一種具有塊狀溝槽和埋層的浮動結(jié)碳化硅SBD器件,其特征在于,其包括金屬、SiO2隔離介質(zhì)、溝槽、一次N?外延層、P+離子注入?yún)^(qū)、二次N?外延層、N+襯底區(qū)和歐姆接觸區(qū),所述P+離子注入?yún)^(qū)處于二次N?外延層的表面,溝槽與P+離子注入?yún)^(qū)上下對齊,形狀相同,或者與P+離子注入?yún)^(qū)上下對齊,形狀相同,浮動結(jié)采用圓形、六棱形或方形的塊狀埋層。本發(fā)明具有塊狀溝槽和埋層的浮動結(jié)碳化硅SBD器件,該器件既有溝槽式碳化硅SBD肖特基接觸面積大,正向?qū)娏鞔蟮膬?yōu)點(diǎn),又有浮動結(jié)碳化硅SBD擊穿電壓大的優(yōu)點(diǎn)。
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交易信息
  • 意向交易額 面議
  • 掛牌時間 2017/12/01
  • 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
  • 聯(lián)系人姓名 王小剛
  • 聯(lián)系人電話 15802954800
  • 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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