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2018/08/27
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 微電子
- 項(xiàng)目名稱 提高橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu) SiC MOSFET 溝道遷移率的方法
- 知識(shí)產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
- 項(xiàng)目簡(jiǎn)介 本發(fā)明實(shí)施例涉及一種提高橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)SiC MOSFET溝道遷移率的方法,包括：在P型SiC襯底上經(jīng)過(guò)外延工藝形成MOSFET的N?漂移區(qū)；在N?漂移區(qū)內(nèi)經(jīng)過(guò)注入工藝形成MOSFET的源區(qū)和漏區(qū)；對(duì)已形成源區(qū)和漏區(qū)的SiC外延片的外延表面在200℃下進(jìn)行紫外線氧化；RCA清洗，使得在外延表面形成Si界面結(jié)構(gòu)；將SiC外延片在300℃氧氣氣氛中進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積PECVD預(yù)處理，將所述外延表面的Si界面結(jié)構(gòu)氧化成SiO2界面層；在所述SiO2界面層上進(jìn)行氧化淀積和退火，形成隔離介質(zhì)層；制備多晶硅柵極和源、漏金屬電極，從而形成所述橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)SiC MOSFET。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時(shí)間 2017/12/01
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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