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2018/08/27
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 電子元器件
- 項目名稱 一種采用硅通孔構(gòu)成的三維集成電容器及其制造方法
- 知識產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
- 項目簡介 本發(fā)明屬于涉及一種采用硅通孔構(gòu)成的三維集成電容器及其制造方法。一種采用硅通孔構(gòu)成的三維集成電容器，包括頂層介質(zhì)層、外層金屬環(huán)極板、內(nèi)層金屬極板、頂層層間介質(zhì)層、外層互連金屬環(huán)、內(nèi)層互連金屬柱、中間層互連金屬環(huán)、半導(dǎo)體襯底、第一介質(zhì)層、第一金屬環(huán)層、第二介質(zhì)層、第二金屬環(huán)層、第三介質(zhì)層、第三金屬環(huán)層、第四介質(zhì)層、金屬柱層、底層層間介質(zhì)、外層金屬環(huán)、內(nèi)層金屬環(huán)、底層介質(zhì)、底層互連金屬。本發(fā)明公開的三維電容器的制作均采用硅通孔制造工藝，工藝兼容性高，制造成本低；占用芯片面積?。辉撊S集成電容器具有較大的電容密度；而其與地接觸面積僅限于外圍金屬層，因此對地寄生電容減小到fF量級。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時間 2017/12/12
- 委托機構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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