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2018/08/25
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機構(gòu) 西安電子科技大學
- 成果持有方 西安電子科技大學
- 行業(yè)領域 微電子
- 項目名稱 帶有N型漂移層臺面的碳化硅UMOSFET器件及制作方法
- 知識產(chǎn)權 發(fā)明專利
- 項目簡介 本發(fā)明涉及一種帶有N型漂移層臺面的碳化硅UMOSFET器件及制作方法，該碳化硅UMOSFET器件包括柵極、多晶硅、槽柵介質(zhì)、源極、源區(qū)接觸、p?外延層、N?漂移層臺面、N?漂移層、N+襯底和漏極，其中，所述N?漂移層臺面設置在所述槽柵介質(zhì)SiO2和N?漂移層之間，所述N?漂移層臺面兩側(cè)為P?外延層；所述N?漂移層臺面寬度小于多晶硅的寬度；N?漂移層臺面與所述N?漂移層的摻雜濃度相同，為氮離子摻雜濃度為1×1015cm?3～6×1015cm?3的N型碳化硅外延層。本發(fā)明碳化硅PN結(jié)界面可以代替SiO2和碳化硅界面承受更高的耐壓，這樣增加了器件的可靠性。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時間 2017/12/22
- 委托機構(gòu) 西安電子科技大學
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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