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2018/08/20
咨詢(xún)成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類(lèi)型 高等院校
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 微電子
- 項(xiàng)目名稱(chēng) 一種改善SiC/SiO2界面態(tài)密度的方法
- 知識(shí)產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專(zhuān)利
- 項(xiàng)目簡(jiǎn)介 本發(fā)明公開(kāi)了一種改善SiC/SiO2界面態(tài)密度的方法，屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的改善SiC/SiO2界面態(tài)密度方法具體包括以下步驟：基片表面清洗；底層SiO2層的生長(zhǎng)；對(duì)底層SiO2柵介質(zhì)層的SiC外延片進(jìn)行PDS退火；對(duì)進(jìn)行了PDS退火的SiC外延片進(jìn)行頂層SiO2層的淀積；底部襯底電極的生長(zhǎng)，并進(jìn)行電極退火；對(duì)進(jìn)行了襯底電極退火的SiC外延片進(jìn)行柵電極的形成。本發(fā)明通過(guò)在P氛圍中進(jìn)行退火，能有效的減小SiC/SiO2表面界面態(tài)密度，從而改善SiC/SiO2界面質(zhì)量，提高器件特性。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時(shí)間 2017/12/29
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話(huà) 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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