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2018/08/20
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機構 西安電子科技大學
- 成果持有方 西安電子科技大學
- 行業(yè)領域 系統(tǒng)集成
- 項目名稱 異溝道CMOS集成器件及其制備方法
- 知識產(chǎn)權 發(fā)明專利
- 項目簡介 本發(fā)明涉及一種異溝道CMOS集成器件及其制備方法，該制備方法包括:選取SOI襯底；在SOI襯底上連續(xù)生長P型應變Ge層和P型應變Si層，以分別形成PMOS的溝道層和NMOS的溝道層；在P型應變Si層表面上采用刻蝕工藝形成隔離溝槽，以分離形成NMOS有源區(qū)和PMOS有源區(qū)；刻蝕PMOS有源區(qū)表面的應變硅層，并向PMOS有源區(qū)內注入N型離子；在PMOS有源區(qū)指定位置處注入P型離子形成PMOS源漏區(qū)，在NMOS有源區(qū)指定位置處注入N型離子形成NMOS源漏區(qū)；在PMOS有源區(qū)表面且異于源漏區(qū)位置處形成PMOS柵極；在NMOS有源區(qū)表面且異于源漏區(qū)位置處形成NMOS柵極；金屬化處理，并光刻漏極引線、源極引線和柵極引線，最終形成異溝道CMOS集成器件。本發(fā)明實施例實現(xiàn)了高性能異溝道CMOS器件的制備。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時間 2018/01/02
- 委托機構 西安電子科技大學
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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