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2018/08/15
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 電子元器件
- 項(xiàng)目名稱 N型埋層覆蓋型超結(jié)橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
- 知識(shí)產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
- 項(xiàng)目簡介 本發(fā)明公開一種新的SJ?LDMOS器件，屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在傳統(tǒng)的SJ?LDMOS器件結(jié)構(gòu)中引入一層N型埋層，該埋層位于超級(jí)結(jié)層上方。與傳統(tǒng)的SJ?LDMOS相比，本發(fā)明通過了N型埋層的作用，補(bǔ)償了超級(jí)結(jié)內(nèi)N型柱區(qū)和P型柱區(qū)之間的電荷不平衡，克服了襯底輔助效應(yīng)，提高了擊穿電壓；同時(shí)，N型埋層額外增加一條新的導(dǎo)電路徑，降低比導(dǎo)通電阻?？梢钥闯鲈摻Y(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和超級(jí)結(jié)層電荷的平衡。本發(fā)明提供的新的SJ?LDMOS器件結(jié)構(gòu)還具有制造工藝相對(duì)簡單，工藝難度較低的特點(diǎn)。本發(fā)明更易滿足功率電子系統(tǒng)的應(yīng)用要求。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時(shí)間 2018/02/27
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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