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1958
2020/06/16
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 微電子
- 項目名稱 一種基于N型納米薄層來提高N型DiMOSFET溝道遷移率方法
- 知識產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
- 項目簡介 本發(fā)明公開了一種基于N型納米薄層來提高N型DiMOSFET溝道遷移率方法，在已有離子注入工藝基礎(chǔ)上將注入形成對導(dǎo)電溝道層注氮改為由外延形成的N+外延層a對導(dǎo)電溝道層注氮；對于N溝DiMOSFET器件而言，該外延厚度為2nm～5nm，摻雜濃度為1×1018cm?3～1×1019cm?3，隨后在柵氧化層的工藝中被氧化，只是柵氧化層與SiC界面含氮離子，減少了表面的懸掛鍵，與已有的離子注入氮元素相比，本發(fā)明通過引入外延層a，避免了離子注入工藝引起的SiC和SiO2的接觸界面粗糙，高晶格損傷，低激活率等問題，得到了一種了高電子遷移率，低導(dǎo)通電阻，低功耗的SiC DiMOSFET器件。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時間 2021/06/16
- 委托機構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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