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2020/06/08
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 電子元器件
- 項(xiàng)目名稱 一種柵控垂直雙擴(kuò)散金屬?氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
- 知識(shí)產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
- 項(xiàng)目簡介 本發(fā)明公開了一種柵控垂直雙擴(kuò)散金屬?氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，把晶體管的溝道區(qū)和JFET區(qū)從上表面和前后側(cè)面用柵電極包裹起來，這樣在正向?qū)〞r(shí)擴(kuò)展的柵電極使器件溝道區(qū)與JFET區(qū)都形成多數(shù)載流子積累層，從而能明顯減小導(dǎo)通電阻，提高輸出電流。而且由于折疊式柵對(duì)JFET區(qū)電荷的控制能力，可以避免JFET區(qū)因?yàn)榭s小尺寸帶來的穿通問題，從而促進(jìn)元胞的電荷共享作用，優(yōu)化了垂直電場分布，提高了器件的擊穿電壓。同時(shí)JFET區(qū)尺寸縮小有利于元胞小型化，提高元胞密度，從而能夠獲得更大的電流。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時(shí)間 2021/06/08
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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