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一種AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管

16082020/06/08
基本信息
  • 成果類型 高等院校
  • 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
  • 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
  • 行業(yè)領(lǐng)域 電子元器件
  • 項(xiàng)目名稱 一種AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管
  • 知識產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
  • 項(xiàng)目簡介 本發(fā)明公開了一種具有鈍化層電荷補(bǔ)償?shù)男翧lGaN/GaN高電子遷移率晶體管。這種新的晶體結(jié)構(gòu)是在晶體管柵極和漏極之間的表面鈍化層中注入電荷形成電荷補(bǔ)償層,這些電荷存在于晶體管表面,在不影響AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)極化效應(yīng)的同時(shí)能通過電場調(diào)制效應(yīng)使表面電場重新分布,產(chǎn)生新的電場峰,從而使得柵邊緣以及漏端高電場降低,表面電場趨于均勻,擊穿電壓和器件可靠性相比于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)也就有了明顯的提高與改善。另外利用電荷補(bǔ)償層的電荷補(bǔ)償作用,使溝道載流子濃度重新分布,可以使器件導(dǎo)通電阻減小,輸出電流增大。
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交易信息
  • 意向交易額 面議
  • 掛牌時(shí)間 2021/06/08
  • 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
  • 聯(lián)系人姓名 王小剛
  • 聯(lián)系人電話 15802954800
  • 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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