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2018/08/14
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 微電子
- 項目名稱 非Si摻雜無InGaN黃光LED材料及其制作方法
- 知識產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
- 項目簡介 本發(fā)明公開了一種非Si摻雜無InGaN光LED材料及其制作方法。其生長步驟是：1)將r面藍寶石襯底置于MOCVD反應(yīng)室中進行熱處理；2)在熱處理后的襯底上生長厚度為10?200nm的低溫成核層；3)在成核層之上生長厚度為0.2?100μm，O摻雜濃度為2×1017cm?3～2×1019cm?3，C摻雜濃度為1×1017cm?3～1×1019cm?3的高溫n型GaN有源層；4)在有源層之上生長厚度為0.01?10μm，Mg摻雜濃度為1×1017cm?3～5×1019cm?3的高溫p型GaN層。本發(fā)明具有工藝簡單，成本低，發(fā)光效率高的優(yōu)點，可用于制作非極性a面GaN黃光發(fā)光二極管。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時間 2018/03/06
- 委托機構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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