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基本信息
- 成果類(lèi)型 高等院校
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 電子元器件
- 項(xiàng)目名稱 基于γ面LiAlO2襯底上黃光LED材料及其制作方法
- 知識(shí)產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專(zhuān)利
- 項(xiàng)目簡(jiǎn)介 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于γ面LiAlO2襯底上黃光LED材料及其制作方法。其生長(zhǎng)步驟是:1)將γ面LiAlO2襯底置于MOCVD反應(yīng)室中進(jìn)行熱處理;2)在熱處理后的襯底上生長(zhǎng)厚度為10?200nm的低溫成核層;3)在成核層之上生長(zhǎng)厚度為0.2?100μm,O摻雜濃度為3×1017cm?3~3×1019cm?3,C摻雜濃度為1×1017cm?3~2×1019cm?3的高溫有源層;4)在有源層之上生長(zhǎng)厚度為0.01?10μm,Mg摻雜濃度為2×1017cm?3~3×1019cm?3的高溫p型GaN層。本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單,成本低,發(fā)光效率高的優(yōu)點(diǎn),可用于制作非極性m面GaN黃光發(fā)光二極管。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時(shí)間 2018/03/06
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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