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氮化鎵基直角漏場(chǎng)板高電子遷移率晶體管

3772020/04/29
基本信息
  • 成果類型 高等院校
  • 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
  • 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
  • 行業(yè)領(lǐng)域 微電子
  • 項(xiàng)目名稱 氮化鎵基直角漏場(chǎng)板高電子遷移率晶體管
  • 知識(shí)產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
  • 項(xiàng)目簡(jiǎn)介 本發(fā)明公開(kāi)了一種氮化鎵基直角漏場(chǎng)板高電子遷移率晶體管,主要解決現(xiàn)有場(chǎng)板技術(shù)在實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓時(shí)工藝復(fù)雜的問(wèn)題。其包括:襯底(1)、過(guò)渡層(2)、勢(shì)壘層(3)、源極(4)、肖特基漏極(5)、臺(tái)面(6)、絕緣介質(zhì)層(7)、柵極(8)、鈍化層(9)和保護(hù)層(12)。鈍化層(9)內(nèi)刻有漏槽(10),鈍化層(9)與保護(hù)層(12)之間淀積有直角漏場(chǎng)板(11),直角漏場(chǎng)板(11)靠近肖特基漏極一側(cè)邊緣與漏槽(10)靠近肖特基漏極一側(cè)邊緣對(duì)齊,該直角漏場(chǎng)板(11)與肖特基漏極(5)電氣連接,且下端完全填充在漏槽(10)內(nèi)。本發(fā)明具有制作工藝簡(jiǎn)單、反向特性好以及成品率高的優(yōu)點(diǎn),可作為開(kāi)關(guān)器件。
項(xiàng)目咨詢
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交易信息
  • 意向交易額 面議
  • 掛牌時(shí)間 2021/04/29
  • 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
  • 聯(lián)系人姓名 王小剛
  • 聯(lián)系人電話 15802954800
  • 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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