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2019/11/29
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 微電子
- 項(xiàng)目名稱 加?xùn)艌?chǎng)板耗盡型AlGaN/GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法
- 知識(shí)產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
- 項(xiàng)目簡(jiǎn)介 本發(fā)明公開了一種加?xùn)艌?chǎng)板耗盡型AlGaN/GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，所述結(jié)構(gòu)包括襯底、本征GaN層、AlN隔離層、本征AlGaN層、AlGaN摻雜層、柵電極、源電極、漏電極、柵場(chǎng)板、絕緣層、鈍化層以及用于調(diào)節(jié)二維電子氣濃度的硅化物。所述柵電極、源電極、漏電極以及絕緣層位于AlGaN摻雜層之上，硅化物位于絕緣層之上所述硅化物為塊狀，對(duì)絕緣層和AlGaN層引入壓應(yīng)力，硅化物之間的AlGaN層受到張應(yīng)力，通過使塊間距小于塊寬度，使得AlGaN層總體獲得張應(yīng)力，從而使溝道中2DEG得到增強(qiáng)。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時(shí)間 2020/11/29
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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