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2018/08/09
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 電子元器件
- 項目名稱 一種低導(dǎo)通電阻的SiC IGBT及其制備方法
- 知識產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
- 項目簡介 本發(fā)明實施例提供了一種低導(dǎo)通電阻的SiC IGBT及其制備方法，涉及高壓功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，可以提高漂移區(qū)電導(dǎo)，可以降低器件的導(dǎo)通壓降和導(dǎo)通電阻，從而減小正向?qū)ü?。所述碳化硅絕緣柵雙極型晶體管包括：P+襯底(1)，N+緩沖層(2)，N?漂移區(qū)(3)，N+空穴阻擋層(4)，N+空穴阻擋層(5)，P阱區(qū)(6)，P+歐姆接觸區(qū)(7)，N+源區(qū)(8)，SiO2柵氧化層(9)，柵極(10)，發(fā)射極(11)，集電極(12)，P阱區(qū)(6)與N?漂移區(qū)(3)之間設(shè)置有橫向N+空穴阻擋層(4)和縱向N+空穴阻擋層(5)，P阱區(qū)(6)和N+空穴阻擋層(4)和(5)均為恒定摻雜。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時間 2018/03/27
- 委托機構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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