您當(dāng)前的位置:成果庫(kù) > 單軸應(yīng)力施加裝置及應(yīng)變MOS芯片輸出特性測(cè)試方法
基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 微電子
- 項(xiàng)目名稱 單軸應(yīng)力施加裝置及應(yīng)變MOS芯片輸出特性測(cè)試方法
- 知識(shí)產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
- 項(xiàng)目簡(jiǎn)介 本發(fā)明涉及一種單軸應(yīng)力施加裝置及應(yīng)變MOS芯片輸出特性測(cè)試方法,該方法包括:將MOS芯片放置在底座(I)上;將橫壓條(IV)放置在MOS芯片的上表面的中心位置處;將壓架(II)放置于底座(I)的正上方,壓架(II)的第三螺孔與底座(I)的第一螺孔對(duì)齊并通過(guò)螺釘固定;測(cè)試MOS芯片施加單軸應(yīng)力前的第一輸出特征曲線;將頂桿(III)安裝于壓架(II)的中心橫桿位于中心位置處的第二螺孔中;將標(biāo)尺架(V)安裝于壓架(II)的中心橫桿的正上方,并使標(biāo)尺架(V)的螺桿手柄與中心橫桿的第二螺孔相連接;轉(zhuǎn)動(dòng)螺桿手柄以使頂桿(III)與橫壓條(IV)表面接觸以對(duì)待測(cè)MOS芯片施加單軸應(yīng)力;拆卸標(biāo)尺架(V),并測(cè)試MOS芯片施加單軸應(yīng)力的第二輸出特性曲線;對(duì)比第一和第二輸出特征曲線,以獲得測(cè)試結(jié)果。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時(shí)間 2018/04/17
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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