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基于GaAsN?GaAsSb 材料的II型異質(zhì)結(jié)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管

16442018/08/07
基本信息
  • 成果類型 高等院校
  • 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
  • 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
  • 行業(yè)領(lǐng)域 電子元器件
  • 項(xiàng)目名稱 基于GaAsN?GaAsSb 材料的II型異質(zhì)結(jié)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管
  • 知識(shí)產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
  • 項(xiàng)目簡介 本發(fā)明公開了一種基于GaAsN?GaAsSb材料的II型異質(zhì)結(jié)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管,主要解決現(xiàn)有III?V族材料制備隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能差的問題。其包括襯底(1)、源極(2)、溝道(3)、漏極(4)、絕緣電介質(zhì)(5)和柵電極(6)。源極和漏極均采用N組分為(0,0.03]的GaAsN復(fù)合材料;溝道采用Sb組分為[0.35,0.65]的GaAsSb復(fù)合材料;在襯底上,源極、溝道、漏極自下而上豎直分布,絕緣電介質(zhì)與柵電極包裹在溝道外部。本發(fā)明通過GaAsN與GaAsSb兩種材料相互接觸形成II型異質(zhì)隧穿結(jié)使得隧穿勢(shì)壘高度降低,隧穿幾率和隧穿電流增大,器件整體性能提升,可用于制作大規(guī)模集成電路。
項(xiàng)目咨詢
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交易信息
  • 意向交易額 面議
  • 掛牌時(shí)間 2018/04/17
  • 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
  • 聯(lián)系人姓名 王小剛
  • 聯(lián)系人電話 15802954800
  • 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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