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2018/08/06
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 成果持有方 西安電子科技大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 微電子
- 項(xiàng)目名稱 一種橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu) SiC MOSFET 功率器件
- 知識產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
- 項(xiàng)目簡介 本發(fā)明實(shí)施例涉及一種橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)SiC MOSFET功率器件,所述SiC MOSFET功率器件自上而下包括：柵極、SiO2隔離介質(zhì)層、N+漏區(qū)、N+源區(qū)、P+歐姆接觸區(qū)、P阱、N?漂移區(qū)和P型SiC襯底；其中，N+漏區(qū)、N+源區(qū)和P+歐姆接觸區(qū)水平設(shè)置，N+源區(qū)和P+歐姆接觸區(qū)位于P阱內(nèi)；在SiO2隔離介質(zhì)層與N?漂移區(qū)之間的界面具有一層等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積PECVDSiO2界面層。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時(shí)間 2018/04/17
- 委托機(jī)構(gòu) 西安電子科技大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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