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2019/11/20
咨詢成果
發(fā)布成果基本信息
- 成果類型 高等院校
- 委托機構(gòu) 西安理工大學(xué)
- 成果持有方 西安理工大學(xué)
- 行業(yè)領(lǐng)域 先進(jìn)制造技術(shù)
- 項目名稱 一種具有連通型存儲層的高壓IGBT及其制造方法
- 知識產(chǎn)權(quán) 發(fā)明專利
- 項目簡介 本發(fā)明公開了一種具有連通型存儲層的高壓IGBT，在n?硅襯底的上方中間溝槽內(nèi)和兩側(cè)的平面部分有柵氧化層，柵氧化層上方設(shè)有T型的多晶硅層，稱為溝槽?平面柵極G；溝槽?平面柵極G兩側(cè)n?型硅襯底上各設(shè)有一個p基區(qū)，每個p基區(qū)內(nèi)設(shè)有n+發(fā)射區(qū)，n+發(fā)射區(qū)上表面與p基區(qū)短路構(gòu)成發(fā)射極E；在整個有源區(qū)內(nèi)n?漂移區(qū)上方與p基區(qū)相接處，設(shè)有連通的n存儲層；在n?漂移區(qū)下方依次設(shè)有n場阻止層、p+集電區(qū)、集電極C。本發(fā)明還公開了上述的具有連通型存儲層的高壓IGBT制造方法。本發(fā)明的高壓IGBT結(jié)構(gòu)，大幅度降低器件導(dǎo)通時的飽和電壓，阻斷電壓高、導(dǎo)通損耗極低、閂鎖電流密度較高、飽和電流密度較低。
交易信息
- 意向交易額 面議
- 掛牌時間 2021/11/19
- 委托機構(gòu) 西安理工大學(xué)
- 聯(lián)系人姓名 王小剛
- 聯(lián)系人電話 15802954800
- 聯(lián)系人郵箱 745490733@qq.com
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